Name: onsemi FDN339AN_G
Brand: onsemi
SKU: FDN339AN_G
Availability: InStock
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onsemi FDN339AN_G

Artikelnummer:

FDN339AN_G

Hersteller / Marke:

AMI Semiconductor/onsemi

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3

Datenblätte:

1.FDN339AN_G.pdf ···: 2D -Zeichnungen
Mult Devices 10/Mar/2017.pdf onsemi RoHS.pdf

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RoHs Status:

Lead free / RoHs compliant

ECAD -Modell:

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DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~onsemi FDN339AN_G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FDN339AN_G.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Vgs (Max)	±8V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	SOT-23-3
Serie	PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35mOhm @ 3A, 4.5V
Verlustleistung (max)	500mW (Ta)
Verpackung / Gehäuse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10 nC @ 4.5 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	3A (Ta)
Grundproduktnummer	FDN339
FDN339AN_G Einzelheiten PDF [English]	FDN339AN_G PDF - EN.pdf

Rückgabe -Richtlinien

Die Rückgaben müssen innerhalb von 60 Tagen nach dem Datum der Rechnung angefordert werden und enthalten:
- Originalrechnungsnummer
- Foto der Teile
- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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